[实用新型]调变激光二极管改良结构有效
| 申请号： | 201920498744.9 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209730438U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 颜胜宏;内田俊一;林楷滨 | 申请（专利权）人： | 晶连股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/32;H01S5/06 |
| 代理公司： | 11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种调变激光二极管改良结构，包括一半导体基板及形成于半导体基板之上的一分布式回馈激光。分布式回馈激光分为一前端部及一后端部。分布式回馈激光由下至上依次包括一下半导体层、一主动层、一上半导体层、一前光栅、及一后光栅。前光栅形成于分布式回馈激光的前端部的下半导体层中或上半导体层中。后光栅形成于分布式回馈激光的后端部的下半导体层中或上半导体层中。前光栅的一光栅长度大于或等于后光栅的一光栅长度。前光栅的一光栅周期等于后光栅的一光栅周期。前光栅的一光栅责务周期大于或等于40％且小于或等于60％。后光栅的一光栅责务周期大于0％且小于40％或大于60％且小于100％。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 回馈 激光 上半导体层 半导体基板 下半导体层 光栅周期 后端部 前端部 激光二极管 半导体层 改良结构 主动层 调变 | ||
【主权项】：
1.一种调变激光二极管改良结构，其特征在于，包括：/n一半导体基板；以及/n一分布式回馈激光，形成于该半导体基板之上，其中该分布式回馈激光分为一前端部以及一后端部，其中该分布式回馈激光包括：/n一下半导体层，形成于该半导体基板之上；/n一主动层，形成于该下半导体层之上；/n一上半导体层，形成于该主动层之上；/n一前端绕射光栅，形成于该分布式回馈激光的该前端部的该下半导体层中或该上半导体层中，其中该前端绕射光栅具有一前端绕射光栅长度，其中该前端绕射光栅具有一前端绕射光栅周期以及一前端绕射光栅责务周期；以及/n一第一后端绕射光栅，形成于该分布式回馈激光的该后端部的该下半导体层中或该上半导体层中，其中该第一后端绕射光栅具有一第一后端绕射光栅长度，其中该第一后端绕射光栅具有一第一后端绕射光栅周期以及一第一后端绕射光栅责务周期；/n其中该前端绕射光栅长度大于或等于该第一后端绕射光栅长度，其中该前端绕射光栅周期等于该第一后端绕射光栅周期，其中该前端绕射光栅责务周期大于或等于40％且小于或等于60％，其中该第一后端绕射光栅责务周期大于0％且小于40％或大于60％且小于100％。/n
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