[实用新型]一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器有效

专利信息
申请号: 201920506180.9 申请日: 2019-04-15
公开(公告)号: CN209822624U 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 夏国栋;王佳豪;马丹丹;贺鑫 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L23/427 分类号: H01L23/427
代理公司: 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种微通道‑纳米多孔复合结构蒸发器,属于微电子器件冷却技术领域。在GaN HEMT器件的基板级进行冷却,减少了界面结合材料的使用,大大降低了结温,延长了GaN HEMT器件的使用寿命。本申请由上基板(6)和下基板(5)构成,其中上基板包括纳米多孔区域(2)、流体入口(1)和流体出口(8),下基板的正面刻饰有微通道区域(4)、进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)。上基板(6)和下基板(5)采用键合技术进行封装处理,保证纳米多孔结构区域(2)和微通道区域(4)较好的接触性。本装置利用纳米孔内液体的相变蒸发散热,具有运行稳定,温度分布均匀、所需工质少、运行压力低等的特点。
搜索关键词: 上基板 下基板 微通道区域 纳米多孔 蓄液槽 界面结合材料 纳米多孔结构 温度分布均匀 微电子器件 封装处理 复合结构 键合技术 冷却技术 流体出口 流体入口 使用寿命 运行稳定 运行压力 接触性 纳米孔 微通道 蒸发器 散热 基板 冷却 蒸发 进口 申请 出口 保证
【主权项】:
1.一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器,其特征在于,为一种GaN HEMT器件基板级的微通道-纳米多孔复合结构蒸发器,包括上下配合在一起的上基板(6)和下基板(5);上基板(6)的中心设有多个纳米多孔结构区域(2),多个纳米多孔结构区域(2)相对的两侧分别设有流体入口(1)和流体出口(8),流体入口(1)和流体出口(8)均为通孔,与外部的液体供应管路相连;所述纳米多孔为纳米通孔阵列;纳米通孔为上基板(6)的上下即内外相通的孔;/n下基板(5)的上表面四周为平整光滑区域,上表面中心位置设有凹槽,凹槽的中心处设有多个微通道区域(4),多个微通道区域(4)平行串联排列,凹槽内多个微通道区域(4)的两侧分别为进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9),每个微通道区域(4)均与进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)相通,进口蓄液槽(3)与上基板(6)的流体入口(1)相互贯通,出口蓄液槽(9)与上基板(6)的流体出口(8)相互贯通,下基板(5)的微通道区域(4)与上基板(6)的纳米多孔结构区域(2)一一相对应;/n整个蒸发器散热装置的微通道区域(4)顶面与下基板(5)四周区域的顶面平齐,纳米多孔结构区域(2)的底面与上基板(6)的底面平齐,且纳米多孔结构区域的厚度同样在纳米量级;上基板(6)和下基板(5)采用封装键合技术熔接在一起,微通道区域(4)和纳米多孔结构区域(2)也紧密结合。/n
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