[实用新型]一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器有效
申请号: | 201920506180.9 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN209822624U | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 夏国栋;王佳豪;马丹丹;贺鑫 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L23/427 | 分类号: | H01L23/427 |
代理公司: | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种微通道‑纳米多孔复合结构蒸发器,属于微电子器件冷却技术领域。在GaN HEMT器件的基板级进行冷却,减少了界面结合材料的使用,大大降低了结温,延长了GaN HEMT器件的使用寿命。本申请由上基板(6)和下基板(5)构成,其中上基板包括纳米多孔区域(2)、流体入口(1)和流体出口(8),下基板的正面刻饰有微通道区域(4)、进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)。上基板(6)和下基板(5)采用键合技术进行封装处理,保证纳米多孔结构区域(2)和微通道区域(4)较好的接触性。本装置利用纳米孔内液体的相变蒸发散热,具有运行稳定,温度分布均匀、所需工质少、运行压力低等的特点。 | ||
搜索关键词: | 上基板 下基板 微通道区域 纳米多孔 蓄液槽 界面结合材料 纳米多孔结构 温度分布均匀 微电子器件 封装处理 复合结构 键合技术 冷却技术 流体出口 流体入口 使用寿命 运行稳定 运行压力 接触性 纳米孔 微通道 蒸发器 散热 基板 冷却 蒸发 进口 申请 出口 保证 | ||
【主权项】:
1.一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器,其特征在于,为一种GaN HEMT器件基板级的微通道-纳米多孔复合结构蒸发器,包括上下配合在一起的上基板(6)和下基板(5);上基板(6)的中心设有多个纳米多孔结构区域(2),多个纳米多孔结构区域(2)相对的两侧分别设有流体入口(1)和流体出口(8),流体入口(1)和流体出口(8)均为通孔,与外部的液体供应管路相连;所述纳米多孔为纳米通孔阵列;纳米通孔为上基板(6)的上下即内外相通的孔;/n下基板(5)的上表面四周为平整光滑区域,上表面中心位置设有凹槽,凹槽的中心处设有多个微通道区域(4),多个微通道区域(4)平行串联排列,凹槽内多个微通道区域(4)的两侧分别为进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9),每个微通道区域(4)均与进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)相通,进口蓄液槽(3)与上基板(6)的流体入口(1)相互贯通,出口蓄液槽(9)与上基板(6)的流体出口(8)相互贯通,下基板(5)的微通道区域(4)与上基板(6)的纳米多孔结构区域(2)一一相对应;/n整个蒸发器散热装置的微通道区域(4)顶面与下基板(5)四周区域的顶面平齐,纳米多孔结构区域(2)的底面与上基板(6)的底面平齐,且纳米多孔结构区域的厚度同样在纳米量级;上基板(6)和下基板(5)采用封装键合技术熔接在一起,微通道区域(4)和纳米多孔结构区域(2)也紧密结合。/n
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