[实用新型]一种存储器有效
申请号: | 201920515020.0 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN209496872U | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 | 申请(专利权)人: | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11517 | 分类号: | H01L27/11517;H01L27/11521 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种存储器,包括:衬底基板,衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区,有源区和浅槽隔离区间隔设置;位于浅槽隔离区对应的衬底基板一侧的隔离层,隔离层内形成有凹槽结构;位于有源区对应的衬底基板一侧的第一浮栅;位于第一浮栅和凹槽结构内壁表面上的第二浮栅,第二浮栅在凹槽结构的底面位置断开连接;位于第二浮栅上的介质层,介质层覆盖暴露在第二浮栅外的隔离层;位于介质层上的控制栅。本实用新型实施例提供的存储器具有功耗低的优势。 | ||
搜索关键词: | 浮栅 衬底基板 浅槽隔离区 存储器 凹槽结构 隔离层 介质层 源区 本实用新型 底面位置 断开连接 间隔设置 内壁表面 控制栅 功耗 暴露 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种存储器,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区,所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置;位于所述浅槽隔离区对应的所述衬底基板一侧的隔离层,所述隔离层内形成有凹槽结构;位于所述有源区对应的衬底基板一侧的第一浮栅;位于所述第一浮栅和所述凹槽结构内壁表面上的第二浮栅,所述第二浮栅在所述凹槽结构的底面位置断开连接;位于所述第二浮栅上的介质层,所述介质层覆盖暴露在所述第二浮栅外的所述隔离层;位于所述介质层上的控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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