[实用新型]一种存储器有效

专利信息
申请号: 201920515020.0 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN209496872U 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 申请(专利权)人: 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: H01L27/11517 分类号: H01L27/11517;H01L27/11521
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种存储器,包括:衬底基板,衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区,有源区和浅槽隔离区间隔设置;位于浅槽隔离区对应的衬底基板一侧的隔离层,隔离层内形成有凹槽结构;位于有源区对应的衬底基板一侧的第一浮栅;位于第一浮栅和凹槽结构内壁表面上的第二浮栅,第二浮栅在凹槽结构的底面位置断开连接;位于第二浮栅上的介质层,介质层覆盖暴露在第二浮栅外的隔离层;位于介质层上的控制栅。本实用新型实施例提供的存储器具有功耗低的优势。
搜索关键词: 浮栅 衬底基板 浅槽隔离区 存储器 凹槽结构 隔离层 介质层 源区 本实用新型 底面位置 断开连接 间隔设置 内壁表面 控制栅 功耗 暴露 覆盖
【主权项】:
1.一种存储器,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区,所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置;位于所述浅槽隔离区对应的所述衬底基板一侧的隔离层,所述隔离层内形成有凹槽结构;位于所述有源区对应的衬底基板一侧的第一浮栅;位于所述第一浮栅和所述凹槽结构内壁表面上的第二浮栅,所述第二浮栅在所述凹槽结构的底面位置断开连接;位于所述第二浮栅上的介质层,所述介质层覆盖暴露在所述第二浮栅外的所述隔离层;位于所述介质层上的控制栅。
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