[实用新型]一种电极结构复用的阻变存储器有效

专利信息
申请号: 201920523320.3 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN210607332U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 魏凌;尹延锋;孙献文 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 郑园
地址: 475004 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 实用新型提供一种电极结构复用的阻变存储器,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极,热导率低的绝缘介质层,阻变层,多个下电极层;其中下电极层与阻变层为欧姆接触,绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2,阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态,其中ETC<ET2,未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层,本实用新型得到很小的实际电极,解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时,不能够再次利用该电极的问题。
搜索关键词: 一种 电极 结构 存储器
【主权项】:
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