[实用新型]一种高效率磁控溅射平面阴极有效
| 申请号： | 201920524017.5 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN209836293U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谢斌;李明;籍伟杰 | 申请（专利权）人： | 合肥科赛德真空技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高志军 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高效率磁控溅射平面阴极，包括靶材和磁场发生装置，磁场发生装置包括磁轭和设置在靶材与磁轭之间的双磁路磁体装置，双磁路磁体装置包括两组主磁体装置和两组辅助磁体装置，主磁体装置包括端部磁体和主磁体，两组主磁体相邻设置在磁轭上表面中部位置，主磁体的磁化极轴方向均与靶材水平。本实用新型通过设置相邻的主磁体，展宽了靶材上方的可溅射区域，使靶材上方磁场强度分布更均匀，从而提高了靶材的利用率，增强了靶材上方的等离子密度，能够提高溅射速率，从而提高薄膜沉积速率，降低镀膜成本。 | ||
| 搜索关键词： | 靶材 主磁体 磁轭 两组 磁场发生装置 本实用新型 磁体装置 双磁路 磁场强度分布 磁化 薄膜沉积 磁控溅射 镀膜成本 辅助磁体 平面阴极 相邻设置 中部位置 等离子 高效率 上表面 极轴 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种高效率磁控溅射平面阴极，包括靶材和磁场发生装置，磁场发生装置包括磁轭和设置靶材与磁轭之间的双磁路磁体装置，所述靶材与磁轭相互水平设置，其特征在于：所述双磁路磁体装置包括两组主磁体装置和两组辅助磁体装置，两组所述主磁体装置对称分布在磁轭上，所述主磁体装置包括端部磁体和主磁体，两组所述端部磁体分别设置在磁轭上表面两端位置，两组所述主磁体相邻设置在磁轭上表面中部位置，主磁体的磁化极轴方向均与靶材水平，且两组主磁体内侧磁极相同，两组所述端部磁体磁化极轴方向垂直于靶材表面，且两组端部磁体靠近靶材侧磁极相同并与主磁体外侧磁极相同，所述辅助磁体装置包括两组辅助磁体，两组所述辅助磁体分别设置在磁轭上表面的主磁体与端部磁体之间位置，所述辅助磁体包括第一辅助磁体与第二辅助磁体，所述端部磁体、第一辅助磁体和第二辅助磁体的磁化极轴方向垂直于靶材，相邻位置的所述端部磁体、第一辅助磁体和第二辅助磁体的磁极方向相反。/n
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