[实用新型]CCZ连续拉晶坩埚有效
| 申请号： | 201920546613.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN210104124U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 李德建;王会敏;何京辉;王东;颜超;路鹏;刘钦;李增卫;何志国;陈阳 | 申请（专利权）人： | 邢台晶龙电子材料有限公司;GTAT知识产权有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06;C04B41/85 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 054001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种CCZ连续拉晶坩埚，属于半导体材质制备技术领域，包括外坩埚和坩埚内环，外坩埚用于容纳待熔融的硅料；坩埚内环设置于外坩埚内，下端与外坩埚内壁相抵，其内部形成用于晶体生长的生长空间，其外部与外坩埚之间形成用于容纳硅料的加料空间，坩埚内环上设有用于熔融的硅料进入生长空间的通料孔。本实用新型提供的CCZ连续拉晶坩埚，能够延长坩埚使用寿命，提高单晶硅质量。 | ||
| 搜索关键词： | ccz 连续 坩埚 | ||
【主权项】：
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