[实用新型]一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片有效
| 申请号： | 201920552938.2 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN209658187U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朱瑞;许柏松;邱健繁;徐永斌;叶新民 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人： | 赵海波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，属于集成电路或分立器件制造的技术领域。包括金属层、P++衬底层、P‑外延层、P+穿通层和N+阴极区，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层，所述P++衬底层和P‑外延层依次设于阳极金属层和阴极金属层之间；所述P+穿通层贯穿P‑外延层，P+穿通层与P++衬底层相连通，所述N+阴极区横跨于P+穿通层和P‑外延层上。一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片及制造工艺，采用穿通结构改变了传统的产品设计结构，无需高掺杂浓度原材料，降低了原材料加工风险，规避了原材料供应问题。另外，穿通结构还能规避原结构带来的因PN结边缘电场易集中带来的产品保护能力弱问题，提高了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 穿通 外延层 衬底层 瞬态电压抑制二极管 阳极金属层 阴极金属层 金属层 阴极区 芯片 本实用新型 原材料供应 原材料加工 产品保护 产品设计 产品性能 分立器件 制造工艺 电场 传统的 高掺杂 原结构 集成电路 横跨 贯穿 制造 | ||
【主权项】：
1.一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，其特征在于：包括金属层、P++衬底层、P-外延层、P+穿通层和N+阴极区，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层，所述P++衬底层和P-外延层依次设于阳极金属层和阴极金属层之间；所述P+穿通层贯穿P-外延层，P+穿通层与P++衬底层相连通，所述N+阴极区横跨于P+穿通层和P-外延层上。/n
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