[实用新型]一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构有效
| 申请号： | 201920553600.9 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN211017079U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 窦祥峰 | 申请（专利权）人： | 窦祥峰 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市京师律师事务所 11665 | 代理人： | 高晓丽 |
| 地址： | 100096 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构，包括从下至上依次结合在一起的硅基层、氮化镓电路层、氮化镓势垒层、氮化硅介质层，还有高阻区、钛铝合金欧姆沟道、镍/金导电区、第一氮化硅穿透涂层、第一钛/金导电涂层、第二氮化硅穿透涂层、第二钛/金导电涂层、第三氮化硅穿透涂层、源极、栅极、漏极；所述硅基层由低阻硅材料制成；所述氮化镓电路层是外延层；所述的氮化镓MISHEMT功率器件是N型二维电子气沟道，硅基金属氧化物栅极接触高电子迁移率晶体管。该结构的氮化镓MISHEMT功率器件抗辐照能力高，在关态时的泄漏电流低，静态功耗低，辐照情况的失效概率低，承受的击穿电压高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 mishemt 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
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