[实用新型]一种用于提高热拔插控制电路短路保护速度的装置有效

专利信息
申请号: 201920562411.8 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN209488158U 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 戴晓龙;赵楠;吴之光 申请(专利权)人: 山东超越数控电子股份有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 孙晶伟
地址: 250100 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开了一种用于提高热拔插控制电路短路保护速度的装置,属于电子设计领域;所述的保护装置包括热拔插控制电路、达灵顿晶体管Q1和二极管D1;二极管D1连接至热拔插控制电路,二极管D1的正极连接达灵顿晶体管Q1的基极,达灵顿晶体管Q1的发射极连接至二极管D1的负极和热拔插控制电路之间,达灵顿晶体管Q1的集电极接地。在达灵顿晶体管Q1为热拔插控制电路提供快速下拉放电通道的同时,二极管D1能够对热拔插控制电路进行单向控制,实现对计算机或通信设备系统供电和后级电路的保护,实现对计算机或通信设备系统供电和后级电路的保护。
搜索关键词: 控制电路 热拔插 二极管 晶体管 通信设备系统 短路保护 后级电路 保护装置 本实用新型 发射极连接 集电极接地 供电 单向控制 电子设计 放电通道 正极连接 负极 计算机 下拉
【主权项】:
1.一种用于提高热拔插控制电路短路保护速度的装置,其特征是所述的装置包括热拔插控制电路和保护电路;保护电路包括达灵顿晶体管Q1和二极管D1,二极管D1的正极连接达灵顿晶体管Q1的基极并与热拔插控制电路的热拔插控制器U1相连,达灵顿晶体管Q1的发射极连接至二极管D1的负极,达灵顿晶体管Q1的集电极接地;热拔插控制电路中的MOS场效应晶体管M1栅极连接二极管D1的负极,二极管D1的正极连接热拔插控制器U1。
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