[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920578179.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN209592044U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提出一种半导体器件，包括：衬底、所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的势垒层，其中，所述势垒层为阶梯状，所述势垒层的每个台阶上设有源极、漏极和栅极。本申请所提出的半导体的器件，通过形成阶梯状的势垒层从而提高器件的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 半导体器件 缓冲层 阶梯状 衬底 线性度 漏极 源极 申请 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的势垒层，其中，所述势垒层为阶梯状，所述势垒层的每个台阶上设有源极、漏极和栅极。
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