[实用新型]一种增强型器件有效
| 申请号： | 201920590552.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN209675293U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11505 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孟潭<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种增强型器件，该增强型器件采用垂直或者半垂直结构，制备非极性面或半极性面的氮化物异质结，使二维电子气在此处中断，获得了增强型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 增强型器件 氮化物异质结 本实用新型 二维电子气 垂直结构 非极性面 半极性 制备 垂直 中断 | ||
【主权项】：
1.一种增强型器件，所述增强型器件为多层外延结构，其特征在于，所述增强型器件依次包括：/n高掺杂n型氮化物层；/n设于所述高掺杂n型氮化物层上的低掺杂n型氮化物层；/n设于所述低掺杂n型氮化物层上的隔离层，所述隔离层之间设有沟槽；/n设于所述隔离层表面以及侧壁上的氮化物沟道层；/n设于所述氮化物沟道层表面以及侧壁上的氮化物势垒层；/n设于所述氮化物势垒层侧壁之间的栅极结构；/n设于所述氮化物势垒层表面的源电极；/n设于与所述高掺杂n型氮化物层接触的漏电极。/n
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