[实用新型]窄边电容屏有效

专利信息
申请号: 201920595423.0 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN209690893U 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 林志坚;王海;曾新勇;高长文 申请(专利权)人: 康惠(惠州)半导体有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 刘羽<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 516006 广东省仲恺高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及电容屏领域,公开了一种窄边电容屏,包括:玻璃基板;ITO感应电极;及引线布线通道,引线布线通道包括ITO接收引线通道、ITO发射引线通道、上银浆引线通道及下银浆引线通道,ITO发射引线通道与ITO发射电极电连接,ITO发射引线通道化学蚀刻于玻璃基板的反面并在玻璃基板的反面的下侧边形成信号发射端,且ITO发射引线通道位于ITO发射电极的四周位置处,下银浆引线通道激光蚀刻在玻璃基板的正面的下侧边并与ITO接收引线通道电连接。本实用新将电容屏的引线布线通道的侧边布线空间由4.41mm缩小至2.30mm,缩小了1.9倍。
搜索关键词: 引线通道 玻璃基板 布线通道 电容屏 发射 发射电极 电连接 下侧边 银浆 本实用新型 信号发射端 布线空间 感应电极 化学蚀刻 激光蚀刻 四周位置 上银浆 侧边 窄边
【主权项】:
1.一种窄边电容屏,其特征在于,包括:/n玻璃基板;/nITO感应电极,所述ITO感应电极包括ITO接收电极及ITO发射电极,所述ITO接收电极化学蚀刻于所述玻璃基板的正面的中心位置处,所述ITO发射电极化学蚀刻于所述玻璃基板的反面的中心位置处;及/n引线布线通道,所述引线布线通道包括ITO接收引线通道、ITO发射引线通道、上银浆引线通道及下银浆引线通道,所述ITO接收引线通道与所述ITO接收电极电连接,所述ITO接收引线通道化学蚀刻于所述玻璃基板的正面并在所述玻璃基板的正面的下侧边形成信号接收端,且所述ITO接收引线通道位于所述ITO接收电极的四周位置处,所述上银浆引线通道激光蚀刻在所述玻璃基板的正面的左侧边及右侧边并与所述ITO接收引线通道电连接;所述ITO发射引线通道与所述ITO发射电极电连接,所述ITO发射引线通道化学蚀刻于所述玻璃基板的反面并在所述玻璃基板的反面的下侧边形成信号发射端,且所述ITO发射引线通道位于所述ITO发射电极的四周位置处,所述下银浆引线通道激光蚀刻在所述玻璃基板的反面的下侧边并与所述ITO发射引线通道电连接。/n
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