[实用新型]一种基于三模冗余技术的抗辐射半加器电路有效
申请号: | 201920605819.9 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN209823732U | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 张平伟;蔡雪原 | 申请(专利权)人: | 安庆师范大学 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 246133 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于三模冗余技术的抗辐射半加器电路,该抗辐射半加器电路包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第一或与非门、第二或与非门、第三或与非门、第一反相输出的表决电路和第二反相输出的表决电路;所述第一与非门、第二与非门和第三与非门输出信号分别为nc1、nc2和nc3,第一或与非门、第二或与非门和第三或与非门的输出信号分别ns1、ns2和ns3,当信号ns1、ns2和ns3中的一个发生改变,另两个不变时,第一反相输出的表决电路输出求和信号S,当信号nc1、nc2和nc3中的一个发生改变,另两个不变,第二反相输出的表决电路也正常输出进位信号CO。本实用新型的技术方案使用三模冗余技术进行加固,进一步减少了面积,实现了半加器功能,同时具有较强的抗辐射能力。 | ||
搜索关键词: | 与非门 表决电路 反相 输出 半加器 抗辐射 三模冗余技术 本实用新型 电路 与非门输出信号 输出进位 输出信号 求和 | ||
【主权项】:
1.一种基于三模冗余技术的抗辐射半加器电路,其特征在于:所述抗辐射半加器电路包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第一或与非门、第二或与非门、第三或与非门、第一反相输出的表决电路和第二反相输出的表决电路;/n所述第一与非门是由PMOS管PM1、PM2和NMOS管NM1、NM2构成,其输出信号nc1为信号A和信号B的与非;所述PM1和PM2的源极并联和电源相接,其漏极均与NM1的漏极连接,所述NM2的漏极与NM1的源极连接,NM2的源极接地,所述PM1和NM1的栅极均与输入信号A相接,所述PM2和NM2的栅极均与输入信号B相连,所述PM2和NM1的漏极输出信号nc1;/n所述第二与非门是由PMOS管PM6、PM7和NMOS管NM6、NM7构成,其输出信号nc2为信号A和信号B的与非;所述PM6和PM7的源极并联和电源相接,其漏极均与NM6的漏极连接,所述NM7的漏极与NM6的源极连接,NM7的源极接地,所述PM6和NM6的栅极均与输入信号A相接,所述PM7和NM7的栅极均与输入信号B相连,所述PM7和NM6的漏极输出信号nc2;/n所述第三与非门是由PMOS管PM11、PM12和NMOS管NM11、NM12构成,其输出信号nc3为信号A和信号B的与非;所述PM11和PM12的源极并联和电源相接,其漏极均与NM11的漏极连接,所述NM12的漏极与NM11的源极连接,NM12的源极接地,所述PM11和NM11的栅极均与输入信号A相接,所述PM12和NM12的栅极均与输入信号B相连,所述PM12和NM11的漏极输出信号nc3;/n所述第一或与非门是由PMOS管PM3、PM4、PM5和NMOS管NM3、NM4、NM5构成,其输出信号ns1为信号A和信号B的同或;所述PM3和PM5的源极均外接电源,PM3的漏极与PM4的源极相连,所述PM4和PM5的漏极均与NM5的漏极连接,所述NM3和NM4的漏极均与NM5的源极连接,NM3和NM4的源极接地;所述PM3和NM3的栅极均与输入信号B相连,所述PM4和NM4的栅极均与输入信号A相接,所述PM5和NM5的栅极与信号nc1的输出端连接,所述PM5和NM5的漏极输出信号ns1;/n所述第二或与非门是由PMOS管PM8、PM9、PM10和NMOS管NM8、NM9、NM10构成,其输出ns2为信号A和信号B的同或;所述PM8和PM10的源极均外接电源,PM8的漏极与PM9的源极相连,所述PM9和PM10的漏极均与NM10的漏极连接,所述NM8和NM9的漏极均与NM10的源极连接,NM8和NM9的源极接地;所述PM8和NM8的栅极均与输入信号B相连,所述PM9和NM9的栅极均与输入信号A相接,所述PM10和NM10的栅极与信号nc2的输出端连接,所述PM10和NM10的漏极输出信号ns2;/n所述第三或与非门是由PMOS管PM13、PM14、PM15和NMOS管NM13、NM14、NM15构成,其输出ns3为信号A和信号B的同或;所述PM13和PM15的源极均外接电源,PM13的漏极与PM14的源极相连,所述PM14和PM15的漏极均与NM15的漏极连接,所述NM13和NM14的漏极均与NM15的源极连接,NM13和NM14的源极接地;所述PM13和NM13的栅极均与输入信号B相连,所述PM14和NM14的栅极均与输入信号A相接,所述PM15和NM15的栅极与信号nc3的输出端连接,所述PM15和NM15的漏极输出信号ns3;/n所述第一反相输出的表决电路是由PMOS管PM16、PM17、PM18、PM19、PM20、PM21和NMOS管NM16、NM17、NM18、NM19、NM20构成,输入信号为ns1、ns2和ns3,输出信号为S;所述PM16的源极外接电源,其漏极与PM17的源极相接,所述PM17的漏极与NM17的漏极连接,NM17的源极与NM16的漏极连接,NM16的源极接地;所述PM16和NM16的栅极与信号ns1的输出端连接,输入信号ns1,PM17和NM17的栅极与信号ns3的输出端连接,输入信号ns3;所述PM18的源极外接电源,其漏极与PM19的源极相接,所述PM19的漏极与NM19的漏极连接;NM19的源极与NM18的漏极连接,NM18的源极接地;所述PM18和NM18的栅极与信号ns2的输出端连接,输入信号ns2,PM19和NM19的栅极与信号ns1的输出端连接,输入信号ns1;所述PM20的源极外接电源,其漏极与PM21的源极相接,所述PM21的漏极与NM21的漏极连接,NM21的源极与NM20的漏极连接,NM20的源极接地;所述PM20和NM20的栅极与信号ns3的输出端连接,输入信号ns3;PM21和NM21的栅极与信号ns2的输出端连接,输入信号ns2;所述PM17、NM17、PM19、NM19、PM21和NM21的漏极均相连,并输出信号S;/n所述第二反相输出的表决电路是由PMOS管PM22、PM23、PM24、PM25、PM26、PM27和NMOS管NM22、NM23、NM24、NM25、NM26构成,输入信号为nc1、nc2和nc3,输出信号为CO;所述PM22的源极外接电源,其漏极与PM23的源极相接,所述PM23的漏极与NM23的漏极连接,NM23的源极与NM22的漏极连接,NM22的源极接地;所述PM22和NM22的栅极与信号nc1的输出端连接,输入信号nc1,PM23和NM23的栅极与信号nc3的输出端连接,输入信号nc3;所述PM24的源极外接电源,其漏极与PM25的源极相接,所述PM25的漏极与NM25的漏极连接;NM25的源极与NM24的漏极连接,NM24的源极接地;所述PM24和NM24的栅极与信号nc2的输出端连接,输入信号nc2,PM25和NM25的栅极与信号nc1的输出端连接,输入信号nc1;所述PM26的源极外接电源,其漏极与PM27的源极相接,所述PM27的漏极与NM27的漏极连接,NM27的源极与NM26的漏极连接,NM26的源极接地;所述PM26和NM26的栅极与信号nc3的输出端连接,输入信号nc3;PM27和NM27的栅极与信号nc2的输出端连接,输入信号nc2;所述PM23、NM23、PM25、NM25、PM27和NM27的漏极均相连,并输出信号CO。/n
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