[实用新型]利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片有效
| 申请号： | 201920614728.1 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN209675291U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 俞荣荣;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L29/10;H01L21/332 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 卢海洋<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片，包括N‑型长基区正面的P型短基区与N+型发射区连接成一体，N‑型长基区背面的背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连。制造方法：硅片检验、生长氧化膜、光刻隔离窗、隔离划片、双面注入铝、隔离扩散、双面注入硼、双面注入铝、P型短基区扩散、光刻发射区、发射区磷扩散、光刻钝化槽、钝化槽腐蚀、钝化槽保护、光刻引线区、双面蒸发电极、光刻反刻区、合金、测试、划切。本实用新型解决了焊锡膏焊接时因溢料导致成品管的电压失效问题；解决了因树脂填充不完全出现成品管内部空气击穿问题；解决了因采用厚片而出现的不衔接，不受控等问题，提高了生产效率和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 钝化槽 发射区 本实用新型 长基区 成品管 划片 隔离 高压可控硅 扩散 内部空气 生产效率 失效问题 树脂填充 蒸发电极 单台面 隔离窗 隔离环 焊锡膏 良品率 磷扩散 氧化膜 引线区 硅片 击穿 反刻 厚片 受控 溢料 焊接 背面 合金 芯片 测试 腐蚀 衔接 生长 检验 制造 | ||
【主权项】：
1.利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜，其特征在于：所述正面P型短基区设置在N-型长基区正面，且和N+型发射区连接成一体，所述N-型长基区与正面P型短基区之间形成正向电压PN结，所述门极电极G设置在正面P型短基区顶面，所述阴极电极K设置在N+型发射区顶面；所述背面P型短基区设置在N-型长基区背面，所述N-型长基区与背面P型短基区之间形成反向电压PN结，所述背面P型短基区顶面设有阳极电极A；所述背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连，所述正面P型短基区四周设有环状的隔离钝化槽。/n
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