[实用新型]半导体量子芯片有效
| 申请号： | 201920623000.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN210006742U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;井方铭;王柯;罗刚;王桂磊;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体量子芯片包括：衬底(101)；纯化硅层(102)，其形成在衬底(101)上；二氧化硅层(103)，其形成在纯化硅层(102)上，二氧化硅层(103)上开设有至少五个离子注入区域(200)，至少五个离子注入区域(200)设有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口制备有欧姆接触电极(300)；绝缘层(400)，其形成在二氧化硅层(103)上，裸露出欧姆接触电极；顶层金属电极(500)，其形成在绝缘层(400)上。该芯片中高质量纯化硅的应用，提升了半导体量子芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅层 绝缘层 离子注入区域 欧姆接触电极 半导体量子 欧姆接触 芯片 衬底 硅层 顶层金属电极 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体量子芯片，其特征在于，包括：/n衬底(101)；/n纯化硅层(102)，其形成在所述衬底(101)上；/n二氧化硅层(103)，其形成在所述纯化硅层(102)上，所述二氧化硅层(103)上开设有至少五个离子注入区域(200)，所述至少五个离子注入区域(200)设有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口制备有欧姆接触电极(300)；/n绝缘层(400)，其形成在所述二氧化硅层(103)上，裸露出所述欧姆接触电极(300)，其中，所述绝缘层(400)为氧化铝层；/n顶层金属电极(500)，其形成在所述绝缘层(400)上；/n其中，顶层金属电极(500)与所述至少五个离子注入区域(200)有重叠区域，与所述欧姆接触电极(300)无重叠区域；/n其中，所述纯化硅层(102)为所有硅同位素
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