[实用新型]一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统有效

专利信息
申请号: 201920639426.X 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN210104061U 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 杨馥羽;李中泉;张沛 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 代理人: 司立彬
地址: 100049 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统。本实用新型的样片腔装置,其特征在于,包括样片腔和多个铜样片,所述样片腔与目标铜腔的形状和尺寸相同;各所述铜样片分别固定在所述样片腔内设定关注的部位。本实用新型首先将样片腔装置放置于真空腔室内,采用磁控溅射镀膜方法在样片腔装置上镀铌;然后根据固定在所述样片腔装置内的铜样片镀膜确定目标铜腔内表面各位置处对应的镀膜信息,再结合所述镀膜信息优化镀膜参数。本实用新型通过该样片腔装置进行镀膜实验并对样片进行表征分析,能够优化各个位置处的镀膜参数,为后续整个目标铜腔基底的镀膜提供经验指导。
搜索关键词: 一种 用于 真空 磁控溅射 镀膜 样片 装置 参数 优化 系统
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