[实用新型]一种紫外发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201920663703.0 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN209729942U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐盛海;刘源;张会雪;陈长清;戴江南 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/64 |
| 代理公司： | 42231 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄君军<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种紫外发光二极管芯片，包括衬底层以及依次从衬底层的表面叠加生长的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，若干个穿过P型氮化镓铝层、多量子阱有源层直至N型氮化镓铝层的分隔孔将芯片的上端分割为若干个P型孤岛，N型氮化镓铝层的表面上蒸镀有第一N电极，P型孤岛的表面上蒸镀有第一P电极，芯片的表面设置有绝缘层，绝缘层的表面设置有第二N电极和第二P电极，第二N电极和第二P电极分别通过N电极开孔和P电极开孔与第一N电极和第二P电极联通。本实用新型将芯片的单个发光区域分割成多个等同长条贯穿型分布的区域，降低了芯片电压，而且可满足更大电流驱动，有效提高了芯片的光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 铝层 绝缘层 多量子阱有源层 本实用新型 表面设置 衬底层 开孔 蒸镀 孤岛 紫外发光二极管芯片 氮化铝缓冲层 大电流驱动 发光区域 芯片电压 上端 分隔孔 光功率 分割 联通 叠加 穿过 生长 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底层以及依次从衬底层的表面叠加生长的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，所述N型氮化镓铝层的上表面边缘外露，在芯片上等距设置有若干个穿过所述P型氮化镓铝层、多量子阱有源层直至所述N型氮化镓铝层的分隔孔，若干个所述分隔孔将所述芯片的上端分割为若干个等距分布的长条贯穿型P型孤岛，所述N型氮化镓铝层的表面上蒸镀有第一N电极，所述P型孤岛的表面上蒸镀有第一P电极，所述芯片的表面设置有绝缘层，所述绝缘层上开设有分别与第一N电极和第一P电极对应的N电极开孔和P电极开孔，所述绝缘层的表面设置有第二N电极和第二P电极，所述第二N电极通过N电极开孔与第一N电极联通，所述第二P电极通过P电极开孔与第一P电极联通。/n
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