[实用新型]三层硅片键合对准夹具有效

申请号：	201920681766.9	申请日：	2019-05-14
公开（公告）号：	CN209747492U	公开（公告）日：	2019-12-06
发明（设计）人：	王云翔;冒薇;段仲伟;马冬月;许爱玲;李晓帅	申请（专利权）人：	苏州美图半导体技术有限公司
主分类号：	H01L21/683	分类号：	H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;B81C3/00
代理公司：	32288 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	苗建<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	215123 江苏省苏州市工***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型涉及一种夹具，尤其是一种三层硅片键合对准夹具，属于微纳米加工的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述三层硅片键合对准夹具，包括能对待键合硅片进行支撑配合的夹具体以及设置于所述夹具体上若干均匀分布的真空吸附孔，在夹具体上还设置硅片间隔固定机构以及硅片压紧夹爪机构，所述硅片间隔固定机构、硅片压紧夹爪机构在夹具体上均呈均匀分布，硅片间隔固定机构位于两相邻的硅片压紧夹爪机构之间，且硅片间隔固定机构、硅片压紧夹爪机构与夹具体上的真空吸附孔呈一一对应；本实用新型结构紧凑，能同时对三层硅片进行对准夹持，从而实现三层硅片的一次完成键合，使用方便，安全可靠。
搜索关键词：	硅片夹具体固定机构硅片间隔压紧夹爪机构三层本实用新型真空吸附孔对准夹具硅片键合夹具微纳米加工键合硅片一次完成夹持键合对准支撑配合
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【主权项】：

1.一种三层硅片键合对准夹具，其特征是：包括能对待键合硅片进行支撑配合的夹具体（1）以及设置于所述夹具体（1）上若干均匀分布的真空吸附孔（2），在夹具体（1）上还设置硅片间隔固定机构以及硅片压紧夹爪机构（6），所述硅片间隔固定机构、硅片压紧夹爪机构（6）在夹具体（1）上均呈均匀分布，硅片间隔固定机构位于两相邻的硅片压紧夹爪机构（6）之间，且硅片间隔固定机构、硅片压紧夹爪机构（6）与夹具体（1）上的真空吸附孔（2）呈一一对应；/n所述硅片间隔固定机构包括用于间隔中间硅片与底层硅片的第一垫片间隔压紧机构（4）以及用于间隔顶层硅片与中间硅片的第二垫片间隔压紧机构（5），底层硅片通过真空吸附孔（2）内的吸附力固定在夹具体（1）上，中间硅片通过第一垫片间隔压紧机构（4）间隔，且通过第二垫片间隔压紧机构（5）将中间硅片压紧固定在底层硅片的上方；顶层硅片位于中间硅片上且由第二垫片间隔压紧机构（5）支撑，利用硅片压紧夹爪机构（6）能将顶层硅片压紧固定在中间硅片上方，以使得底层硅片、中间硅片以及顶层硅片所组成的三层待键合硅片能在夹具体（1）上保持稳定。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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