[实用新型]一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列有效
| 申请号： | 201920711969.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN209929312U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王建禄;蒋伟;王旭东;孙正宗;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 31311 上海沪慧律师事务所 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列，该方法首先利用离子束溅射，结合金属掩模版在有氧化层的硅衬底上镀一层图案化的超薄铂金属层；然后将金属铂层置于高温管式炉中硒化，生成图案化的二硒化铂；随后利用光刻技术，结合剥离工艺在图案化的二硒化铂上制备金属源极和漏极，形成基于二硒化铂半导体的场效应晶体管阵列，其中单个场效应管可随二硒化铂半导体薄膜的厚度不同表现为P型或双极性的输出特性。本方法可用于研制基于大面积二维半导体薄膜的大规模集成器件，工艺简单，受环境影响小，可有效提高器件电学性能及可靠性，为二维材料器件的功能化应用提供了有效途径。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化 图案化 场效应管 半导体 场效应晶体管阵列 半导体薄膜 大规模集成 二维半导体 高温管式炉 功能化应用 金属掩模版 离子束溅射 剥离工艺 铂金属层 电学性能 二维材料 光刻技术 环境影响 金属铂层 金属源极 输出特性 有效途径 硅衬底 双极性 氧化层 可用 漏极 制备 薄膜 表现 | ||
【主权项】：
1.一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列，包括金层(1)、钛层(2)、二硒化铂(3)、氧化层(4)、衬底(5)，其特征在于，/n所述的场效应管的结构从上到下依次为：金层(1)、钛层(2)、二硒化铂(3)、氧化层(4)、衬底(5)，其中:/n所述的金层(1)，为厚度45纳米的金电极；/n所述的钛层(2)，为厚度为15纳米的接触金属；/n所述的二硒化铂(3)，为图案化的二硒化铂半导体薄膜，其厚度为1.6-4.7纳米；/n所述的氧化层(4)，为二氧化硅，厚度为285纳米；/n所述的衬底(5)，为重掺杂的硅衬底。/n
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