[实用新型]一种改善EL断栅的正电极网版图形结构有效
| 申请号： | 201920718532.7 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN210006744U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 徐晨杰;乔媛媛;颜艳明;张德磊 | 申请（专利权）人： | 上海神舟新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司： | 31107 上海航天局专利中心 | 代理人： | 许丽 |
| 地址： | 201112 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种改善EL断栅的正电极网版图形结构，在各主栅线间增加一条副主栅线，副主栅线垂直于副栅线，在主副栅线间采用渐变线模式。本实用新型提供的改善EL断栅的正电极网版图形结构，通过在主栅线间增加一条副主栅线，在几乎不增加印刷面积的情况，增加电流收集回路，降低EL断栅。再通过在主副栅线间采用渐变缩小的方式，降低此处的EL断栅发生率，从而降低电池片整体EL断栅。同时整体图形采用对称图形，可匹配组件半片工艺，提高电池片的可利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 主栅线 断栅 本实用新型 正电极网版 图形结构 电池片 主副栅 电流收集 对称图形 匹配组件 整体图形 发生率 副栅线 渐变线 渐变 半片 垂直 印刷 | ||
【主权项】：
1.一种改善EL断栅的正电极网版图形结构，其特征在于，在各主栅线间增加一条副主栅线，所述副主栅线垂直于副栅线，在主副栅线间采用渐变线模式。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
