[实用新型]一种直拉硅晶体生长热场结构有效
| 申请号： | 201920721779.4 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN210085617U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 高宇;胡建荣;傅林坚;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 312300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型专利涉及直拉硅单晶生长领域，具体涉及一种直拉硅晶体生长热场结构。包括电极座和多个加热器组件；加热器组件在竖直方向呈S形连续折返结构，其水平方向截面形状呈圆弧形，每个加热器组件的首尾两端分别接至一个电极座；多个加热器组件之间通过电极座首尾相连，组成一个圆环形的热场结构。本实用新型加热器由整体圆改为1/4圆弧或1/2圆弧，减少对石墨原材料尺寸要求；加热器局部损坏后可通过更换单个组建恢复使用，降低使用成本；更改为1/4圆弧或1/2圆弧后原料利用率提高，采购成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉硅 晶体生长 结构 | ||
【主权项】：
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