[实用新型]一种MOCVD反应室

摘要

本实用新型涉及一种解决GaN基LED外延片生长翘曲过大的MOCVD反应室，包括上盖、侧壁、底盖、喷头、托盘，所述底盖上设置有尾气出口，所述底盖上还设置有所述托盘，所述侧壁内设置有所述喷头，所述上盖内向下设置有顶部加热器，所述底盖上设置有两个底部加热器，两个所述底部加热器位于尾气出口的两侧，所述底部加热器位于所述托盘与所述底盖之间。通过顶部加热器、底部加热器实现MOCVD反应室内上下同时加热，避免了单面加热时造成的热应力不同引起的翘曲。只需要调节顶部加热器、底部加热器的温度，即可调节外延表面的凹凸，避免调整长速、厚度造成的电参数波动。