[实用新型]一种电容式MEMS温度传感器

摘要

一种电容式MEMS温度传感器，它涉及一种温度传感器。本实用新型的目的是要解决现有电容式温度传感器的体积大，功耗高的问题。一种电容式MEMS温度传感器包括底板、中段和顶盖，底板、中段和顶盖由下至上依次叠在一起；所述底板包括底板SiO₂绝缘膜层、底板Si基层、底板SiO₂隔离层、底板Ag电极层和底板AlN绝缘导热层；所述中段包括Si支架、中段SiO₂绝缘层和三维黑磷电解质层；所述顶盖包括顶盖SiO₂绝缘膜层、顶盖Si基层、顶盖SiO₂隔离层、顶盖Ag电极层和顶盖AlN绝缘导热层。优点：体积小、成本低、功耗低的特点；提高了敏感度。本实用新型主要用于制备电容式MEMS温度传感器。

主权项

1.一种电容式MEMS温度传感器，其特征在于一种电容式MEMS温度传感器包括底板(1)、中段(2)和顶盖(3)，底板(1)、中段(2)和顶盖(3)由下至上依次叠在一起；所述底板(1)包括底板SiO₂绝缘膜层(1‑1)、底板Si基层(1‑2)、底板SiO₂隔离层(1‑3)、底板Ag电极层(1‑4)和底板AlN绝缘导热层(1‑5)，底板SiO₂绝缘膜层(1‑1)、底板Si基层(1‑2)、底板SiO₂隔离层(1‑3)、底板Ag电极层(1‑4)和底板AlN绝缘导热层(1‑5)由下至上依次叠在一起；底板(1)呈正方体形，边长为5000μm；所述中段(2)包括Si支架(2‑1)、中段SiO₂绝缘层(2‑2)和三维黑磷电解质层(2‑3)，所述Si支架(2‑1)呈回形，外壁边长为4000μm，内壁边长为3800μm，厚度为2000μm，中段SiO₂绝缘层(2‑2)覆盖在Si支架(2‑1)的外壁上，三维黑磷电解质层(2‑3)设置在Si支架(2‑1)内；所述顶盖(3)包括顶盖SiO₂绝缘膜层(3‑1)、顶盖Si基层(3‑2)、顶盖SiO₂隔离层(3‑3)、顶盖Ag电极层(3‑4)和顶盖AlN绝缘导热层(3‑5)，顶盖SiO₂绝缘膜层(3‑1)、顶盖Si基层(3‑2)、顶盖SiO₂隔离层(3‑3)、顶盖Ag电极层(3‑4)和顶盖AlN绝缘导热层(3‑5)由上至下依次叠在一起；顶盖(3)呈正方体形，边长为5000μm。