[实用新型]单晶硅多参量差压传感器有效
| 申请号： | 201920777658.1 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN209961384U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陈立新;牟恒 | 申请（专利权）人： | 江苏德新科智能传感器研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01L13/06 | 分类号： | G01L13/06 |
| 代理公司： | 32296 南京睿之博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周中民 |
| 地址： | 211000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶硅多参量差压传感器，包括芯片管座；芯片管座下端安装槽内固定有绑定板，绑定板上具有差压芯片、静压芯片、温度芯片，差压芯片和静压芯片为单晶硅芯片，正压端朝下、负压端朝上，最大耐压值为10MPa；芯片管座上部设有正、负压充油导管；芯片管座中部设有相互隔离的正、负压通道，正压通道下端连通差压芯片和静压芯片正压端，正压通道上端连接正压充油导管，负压通道下端连接差压芯片负压端，负压通道上端连接负压充油导管；芯片管座设置有电性接口，电性接口直接贯穿芯片管座和绑定板。该传感器芯片耐压能力达到10MPa，无需中心膜片保护，使得静压量程和差压量程不再受限，解决了微小差压，大静压测量的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片管 芯片 静压 负压通道 绑定板 充油 导管 下端 正压 电性接口 负压端 正压端 上端 负压 量程 单晶硅 本实用新型 差压传感器 传感器芯片 单晶硅芯片 静压测量 耐压能力 温度芯片 中心膜片 安装槽 多参量 内固定 朝上 耐压 受限 连通 隔离 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅多参量差压传感器，其特征在于：包括芯片管座(8)；/n芯片管座(8)下端开设有安装槽(9)，安装槽(9)内固定有绑定板(10)，绑定板(10)上具有两个矩形孔，差压芯片(6)、静压芯片(7)穿过矩形孔并通过胶水和安装槽(9)固定在一起，差压芯片(6)和静压芯片(7)通过绑定线与绑定板(10)绑定连接，温度芯片(12)焊接到绑定板(10)上，差压芯片(6)和静压芯片(7)为单晶硅芯片，且具有正压端和负压端，差压芯片(6)和静压芯片(7)的正压端朝下、负压端朝上，并且差压芯片(6)、静压芯片(7)的最大耐压值为10MPa；/n芯片管座(8)的上部设有正压充油导管(2)和负压充油导管(1)，正压充油导管(2)和负压充油导管(1)用于充注导压介质；/n芯片管座(8)的中部设有相互隔离的正压通道(5)和负压通道(4)，正压通道(5)下端穿过绑定板(10)并连通差压芯片(6)和静压芯片(7)的正压端，正压通道(5)上端连接正压充油导管(2)，负压通道(4)下端连接差压芯片(6)的负压端，负压通道(4)上端连接负压充油导管(1)；/n芯片管座(8)设置有电性接口(3)，电性接口(3)直接贯穿芯片管座(8)和绑定板(10)，通过电性接口(3)实现绑定板(10)与芯片管座(8)的固定，电性接口(3)为差压芯片(6)、静压芯片(7)和温度芯片(12)提供电源并接收差压芯片(6)、静压芯片(7)和温度芯片(12)向外传输的电信号。/n
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