[实用新型]一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件有效
| 申请号： | 201920792089.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN209804661U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;吴勇;袁昊;韩超 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件，该MOSFET器件包括：外延层；基区，位于所述外延层的两侧；漂移层，位于所述外延层和所述基区的下表面；衬底层，位于所述漂移层下表面；漏极，位于所述衬底层下表面；第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面；栅介质层，位于所述外延层的上表面，且与所述基区连接；多晶硅层，位于所述栅介质层内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。本实用新型的这种MOSFET器件，通过改变P型基区的结构，在不增大器件元胞面积的情况下，降低了槽栅拐角的电场聚集，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 基区 外延层 源区 下表面 本实用新型 多晶硅层 栅介质层 衬底层 漂移层 电场聚集 击穿电压 基区结构 器件元胞 预设区域 拐角 内表面 碳化硅 槽栅 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：/n外延层；/n基区，位于所述外延层的两侧；/n漂移层，位于所述外延层和所述基区的下表面；/n衬底层，位于所述漂移层下表面；/n漏极，位于所述衬底层下表面；/n第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；/n第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；/n源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面；/n栅介质层，位于所述外延层的上表面，且与所述基区连接；/n多晶硅层，位于所述栅介质层内表面；/n栅极，位于所述多晶硅层的上表面。/n
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