[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201920805418.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN209981217U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 31260 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底内具有栅极结构，所述衬底暴露出所述栅极结构顶部表面；掺杂区，所述掺杂区位于所述栅极结构相对两侧；层间介质层，所述层间介质层覆盖所述掺杂区和所述栅极结构，所述层间介质层内具有接触孔，所述接触孔暴露出所述掺杂区表面；未掺杂半导体层，所述未掺杂半导体层位于所述接触孔底部，所述未掺杂半导体层位于所述掺杂区表面上；上层半导体层，所述上层半导体层位于所述接触孔内，所述上层半导体层位于所述未掺杂半导体层上，所述上层半导体层内具有掺杂离子。本实用新型能够降低器件的GIDL电流，减小静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 未掺杂半导体层 半导体层 栅极结构 接触孔 层间介质层 上层 衬底 本实用新型 半导体结构 掺杂离子 顶部表面 降低器件 静态功耗 相对两侧 暴露 减小 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底内具有栅极结构，所述衬底暴露出所述栅极结构顶部表面；/n掺杂区，所述掺杂区位于所述栅极结构相对两侧；/n层间介质层，所述层间介质层覆盖所述掺杂区和所述栅极结构，所述层间介质层内具有接触孔，所述接触孔暴露出所述掺杂区表面；/n未掺杂半导体层，所述未掺杂半导体层位于所述接触孔底部，所述未掺杂半导体层位于所述掺杂区表面上；/n上层半导体层，所述上层半导体层位于所述接触孔内，所述上层半导体层位于所述未掺杂半导体层上，所述上层半导体层内具有掺杂离子。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
