[实用新型]一种浮结型肖特基二极管有效
| 申请号： | 201920806493.6 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN210224043U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;刘钰康 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种浮结型肖特基二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结区3，位于所述外延层2中间的矩形槽内；绝缘型多晶硅层4，位于所述浮结区3上层；沟槽5，位于所述绝缘型多晶硅层4上层；肖特基接触的阴极6，位于所述衬底层1下层；肖特基接触的阳极7，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层4和所述沟槽5。本实用新型提出的二极管，通过改善了浮结型肖特基二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，同时，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浮结型肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院，未经西安电子科技大学芜湖研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920806493.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接水下摄影机外挂摄影灯的浮臂
- 下一篇：一种矫正保持器
- 同类专利
- 专利分类
