[实用新型]异质接面双极性晶体管有效

专利信息
申请号: 201920809627.X 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN209785942U 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 祁幼铭;黄国钧;谢坤穆;邱宇宸 申请(专利权)人: 宏捷科技股份有限公司
主分类号: H01L29/737 分类号: H01L29/737;H01L29/423;H01L29/417
代理公司: 11355 北京泰吉知识产权代理有限公司 代理人: 张雅军;史瞳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要: 实用新型为提供一种异质接面双极性晶体管,包含基板、半导体单元、电极单元,及介电层。所述半导体单元形成于所述基板上,具有自所述基板表面向上形成的集极层、基极层,及射极层。所述电极单元具有设置于所述集极层的集极金属层、设置于所述基极层的基极金属层,及设置于所述射极层的射极金属层。所述介电层覆盖所述射极层,并定义出开口,所述基极金属层经由所述开口与所述基极层相接触,并延伸覆盖至少部分与所述开口相邻的所述介电层。借此,在提高所述基极金属层的高度时,同时精确控制基极金属层的宽度,以有效提高异质接面双极性晶体管的输出频率。
搜索关键词: 基极金属 基极层 介电层 射极层 集极 双极性晶体管 半导体单元 开口 电极单元 异质接面 金属层 基板 本实用新型 基板表面 输出频率 延伸覆盖 射极 覆盖
【主权项】:
1.一种异质接面双极性晶体管,其特征在于:包含:/n基板;/n半导体单元,形成于所述基板上,具有自所述基板表面向上形成的集极层、基极层,及射极层;/n电极单元,具有设置于所述集极层的集极金属层、设置于所述基极层的基极金属层,及设置于所述射极层的射极金属层;及/n介电层,覆盖所述射极层,并定义出开口,所述基极金属层经由所述开口与所述基极层相接触,并延伸覆盖至少部分与所述开口相邻的所述介电层。/n
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