[实用新型]存储结构

摘要

一种存储结构，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，第一凹槽中填充满绝缘层；位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极；位于第二凹槽底部两侧的部分绝缘层中的第三凹槽，第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面，且第三凹槽与相应的第二凹槽连通，沿行方向上相邻的两个所述第三凹槽之间不连通；位于第二凹槽和第三凹槽中栅极结构。本实用新型的存储结构减小了漏电流的大小。