[实用新型]高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构有效

申请号：	201920834409.1	申请日：	2019-06-04
公开（公告）号：	CN209843663U	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	殷炯	申请（专利权）人：	无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/367
代理公司：	32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)	代理人：	殷红梅;屠志力
地址：	214035 江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，包括：金属框架、MOS芯片、金属散热片、控制芯片、金属线、塑封料；所述金属框架设有一凹陷部；金属框架上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；在金属框架背面的凹陷部中倒装焊接有MOS芯片；MOS芯片与金属框架上的相应焊垫通过凸件连接；在MOS芯片的背面贴装有金属散热片；金属散热片与MOS芯片背面的漏极相连；在金属框架凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片；控制芯片通过金属线与金属框架上相应焊垫连接；在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围设有塑封料；本实用新型MOS芯片大功率输出时电性能更优，散热效果更好。
搜索关键词：	金属框架控制芯片凹陷部金属散热片金属线本实用新型塑封料焊垫组合封装结构倒装焊接散热效果电性能高功率突出部漏极凸件背面外围输出
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【主权项】：

1.一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，包括：金属框架(1)、MOS芯片(4)、金属散热片(6)、控制芯片(8)、金属线(9)、塑封料(10)；/n所述金属框架(1)设有一凹陷部(101)；金属框架(1)上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；/n在金属框架(1)背面的凹陷部(101)中倒装焊接有MOS芯片(4)；MOS芯片(4)与金属框架(1)上的相应焊垫通过凸件(5)连接；在MOS芯片(4)的背面贴装有金属散热片(6)；金属散热片(6)与MOS芯片(4)背面的漏极相连；/n在金属框架(1)凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片(8)；控制芯片(8)通过金属线(9)与金属框架(1)上相应焊垫连接；/n在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围设有塑封料(10)；/n在金属散热片(6)背面，以及金属框架(1)背面需要进行输出连接的位置设有焊锡(11)。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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