[实用新型]一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管有效
| 申请号： | 201920838966.0 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN209626230U | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张闻睿;渠开放;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吕朦 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，包括源区、漏区、沟道、栅氧化层及双栅极；栅极包括栅极两端和栅极中间，栅极两端功函数与栅极中间功函数不同；沟道为石墨烯纳米管，位于源区和漏区之间，源区和漏区均包括N型重掺杂区和扩展区，扩展区靠近石墨烯纳米管，N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，源扩展区与漏扩展区均为N型轻掺杂；栅氧化层位于石墨烯纳米管两侧，双栅极位于栅氧化层外侧。本实用新型减少了器件性能下降，具有更大的电流开关比，迟滞时间更短，亚阈值摆幅更小，电压增益更高的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 纳米管 场效应管 栅氧化层 轻掺杂 漏区 条带 异质 源区 本实用新型 功函数 扩展区 双栅极 沟道 种源 电流开关比 亚阈值摆幅 电压增益 漏扩展区 器件性能 源扩展区 迟滞 源漏 | ||
【主权项】：
1.一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，包括源区、漏区、沟道、栅氧化层及双栅极；栅极包括靠近源区、漏区的栅极两端和栅极中间，栅极两端金属的功函数低于栅极中间金属的功函数；所述沟道为石墨烯纳米管，石墨烯纳米管位于源区和漏区之间，源区包括源极N型重掺杂区和源扩展区，源扩展区靠近石墨烯纳米管，源极N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，漏区包括漏极N型重掺杂区和漏扩展区，漏扩展区靠近石墨烯纳米管，漏极N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，源扩展区与漏扩展区均为N型轻掺杂；栅氧化层位于石墨烯纳米管两侧，双栅极位于栅氧化层外侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920838966.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管
- 下一篇：一种PIN二极管器件结构
- 同类专利
- 专利分类
