[实用新型]一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器有效
| 申请号： | 201920846561.1 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN209766453U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王宸观;渠开放;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 吕朦 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。本实用新型具有更高的灵敏度，更强的频率选择性，更高的工作温度，表明该结构有更好的太赫兹光子探测能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 基底 漏极 源极 栅氧化层 本实用新型 纳米碳管 量子点 频率选择性 高灵敏度 光子探测 可调谐 灵敏度 异质结 探测器 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，其特征在于，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
