[实用新型]一种复合DBR结构有效
| 申请号： | 201920848088.0 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN209981260U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张丽旸;程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 32295 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合DBR结构，属于微电子技术领域。该复合DBR结构至少一个周期结构，其中所述周期结构包括：多孔层以及设于所述多孔层之上。本实用新型的复合DBR结构周期数更小，几何厚度更薄，应力调节效果更好，晶体质量更高。相对于传统DBR结构表现出了更加优异的反射性能，能够被广泛的应用于LED器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 周期结构 多孔层 复合 微电子技术领域 反射性能 应力调节 周期数 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种复合DBR结构，其特征在于，包括：/n至少一个周期结构，其中所述周期结构包括：/n多孔层；以及/n多层结构，设于所述多孔层之上，其中所述多层结构包括周期性设置的复合结构，其中该复合结构包括至少5组依次层叠的AlGaN层及AlN层以及一组GaN。/n
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