[实用新型]一种扬声器的超薄磁路结构有效
| 申请号： | 201920854741.4 | 申请日： | 2019-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN210129951U | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 申国平;刘涛 | 申请（专利权）人： | 惠州市音博仕科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R9/06 | 分类号： | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 肖力军 |
| 地址： | 516003 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种扬声器的超薄磁路结构，包括U型轭体和由下往上设置于U型轭体内的主磁体、华司和亚磁体，所述华司顶部设有沉台，所述亚磁体固定于华司顶部的沉台内。所述沉台包括中间凹陷部和两侧限位部，所述亚磁体位于沉台的中间凹陷部内，亚磁体由沉台的两侧限位部限位，本实用新型扬声器的超薄磁路结构通过在华司顶部设置沉台，亚磁体固定于华司顶部的沉台内，压缩磁路空间、降低磁路结构高度，同时提高亚磁体的同心度，提升磁饱和度，优化防磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扬声器 超薄 磁路 结构 | ||
【主权项】：
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