[实用新型]一种QFN/DFN叠加式芯片

摘要

本实用新型公开了一种QFN/DFN叠加式芯片，包括框架、引脚、银浆层、第一芯片、粘接层、第二芯片、第一焊球、第一焊线、第二焊球、第二焊线，第一芯片采用银浆层与框架固定，而使用厚度为0.025mm的粘接层替代0.05mm银浆层来对第二芯片固定，可以有效降低整体高度，通过在第二芯片上设置第一焊球，第一焊线可从第一焊球的侧面引出，且第一焊线采用0.025mm的软铜线，因此，第一焊线可以获得较为平缓的过渡，避免突然折弯，有效防止第一焊线发生脱焊不良，同时有效降低整体高度。在空间较为充裕引脚上设置第二焊球，通过第二焊线将第一芯片与引脚连接，实现第一芯片的输出。该装置结构简单，通过叠加式设计，实现多芯片的封装，且整体高度较低，满足使用要求。

主权项

1.一种QFN/DFN叠加式芯片，其特征在于包括框架、引脚、银浆层、第一芯片、粘接层、第二芯片、第一焊球、第一焊线、第二焊球、第二焊线，所述的框架设有引脚，所述的引脚与框架一体相连，所述的银浆层位于框架顶部，所述的银浆层与框架焊接相连，所述的第一芯片位于银浆层顶部，所述的第一芯片与银浆层焊接相连，所述的粘接层位于第一芯片顶部，所述的粘接层与第一芯片粘接相连，所述的第二芯片位于粘接层顶部，所述的第二芯片与粘接层粘接相连，所述的第二芯片设有第一焊球，所述的第一焊球与第二芯片焊接相连，所述的第一焊线分别与第一焊球和第一芯片焊接相连，所述的第二焊球位于引脚上端，所述的第二焊球与引脚焊接相连，所述的第二焊线分别与第二焊球和第一芯片焊接相连。/n