[实用新型]简易粉尘监控收集控制电路有效
| 申请号： | 201920910667.3 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN209992838U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 熊浩;肖丞峰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学津桥学院 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650106 云南省昆明市五华区高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型提供简易粉尘监控收集控制电路，其包括电阻R1（1）、电阻R2（2）、电机M1（3）、发光二级管D1（4）、光敏二级管D2（5）、N沟道MOSFET Q1（6）。本实用新型+12VDC通过电阻R1（1）使得光敏二级管D2（5）导通、发光，如果发光二级管D1（4）与光敏二级管D2（5）通路上灰尘过多，光敏二级管D2（5）内阻有7‑8K，N沟道MOSFET Q1（6）导通，电机M1（3）旋转，带动风扇往集尘箱里面吹风，把空间内的灰尘收集到集尘箱内，如果发光二级管D1（4）与光敏二级管D2（5）通路上灰尘大量减少，光敏二级管D2（5）内阻减少到100欧姆以下，N沟道MOSFET Q1（6）截止，电机M1（3）停止旋转，风扇停止工作。如此可以快速高效地除去空间中的大量灰尘。 | ||
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【主权项】：
1.简易粉尘监控收集控制电路，其特征在于：包括电阻R1（1）、电阻R2（2）、电机M1（3）、发光二极管D1（4）、光敏二极管D2（5）、N沟道MOSFET Q1（6）； +12VDC接电阻R1（1）上端、电阻R2（2）上端；所述N沟道MOSFET Q1（6）栅极接电阻R2（2）下端、光敏二极管D2（5）阳极；所述电阻R1（1）下端接发光二极管D1（4）阳极；所述N沟道MOSFET Q1（6）漏极接电机M1（3）下端； +24VDC接电机M1（3）上端；地接发光二极管D1（4）阴极、光敏二极管D2（5）阴极、N沟道MOSFETQ1（6）源极；+12VDC通过电阻R1（1）使得光敏二极管D2（5）导通、发光，如果发光二极管D1（4）与光敏二极管D2（5）通路上灰尘过多，光敏二极管D2（5）内阻有7-8K，N沟道MOSFET Q1（6）导通，电机M1（3）旋转，带动风扇往集尘箱里面吹风，把空间内的灰尘收集到集尘箱内，如果发光二极管D1（4）与光敏二极管D2（5）通路上灰尘大量减少，光敏二极管D2（5）内阻减少到100欧姆以下，N沟道MOSFET Q1（6）截止，电机M1（3）停止旋转，风扇停止工作；如此可以快速高效地除去空间中的大量灰尘。/n
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