[实用新型]一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测传感器有效
申请号: | 201920924725.8 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN211122646U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 曹忠;唐飞;何军意;段薇;袁璇;肖忠良 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/327;G01N27/333;G01N27/48;B82Y5/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 长沙优企知识产权代理事务所(普通合伙) 43243 | 代理人: | 周栋 |
地址: | 410000 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: |
本实用新型公开了一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L‑谷氨酸(L‑Glu)检测传感器,所述传感器包括作为工作电极的分子印迹聚合膜修饰电极;所述分子印迹聚合膜修饰电极包括玻碳基质,所述玻碳基质表面修饰有MWCNTs膜层,所述MWCNTs膜层上负载有MIPs膜层,所述MIPs膜层上存在L‑Glu分子三维结构空腔。结果表明MIP/MWCNTs/GCE对L‑Glu有灵敏的识别特性,且当L‑Glu浓度为1.00×10 |
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搜索关键词: | 一种 基于 分子 印迹 聚合 修饰 电极 谷氨酸 检测 传感器 | ||
【主权项】:
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