[实用新型]一种垂直外腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201920933294.1 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN210040876U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;赵志斌;曲轶;彭鸿雁 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本实用新型提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系设计及高反射膜、增透膜制备的问题。本实用新型提出的一种垂直外腔面发射半导体激光器的外腔镜制备工艺简单，增大了单程增益长度，能有效减小外腔的腔长，获得高反射率外腔镜。 | ||
| 搜索关键词： | 外腔镜 垂直外腔面发射半导体激光器 本实用新型 高反射率 同质结 外腔 半导体光电子技术 半导体激光器 电流注入层 单程增益 高反射膜 镜面镀膜 隧道结层 外延生长 制备工艺 蓝宝石 窗口层 缓冲层 势垒层 增透膜 衬底 减小 模系 腔长 热沉 源区 制备 保证 | ||
【主权项】：
1.一种垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉(1)，蓝宝石衬底(2)，缓冲层(3)，同质结DBR层(4)，势垒层(5)，有源区(6)，隧道结层(7)，电流注入层(8)，窗口层(9)及DBR外腔镜(10)组成。/n
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