[实用新型]一种双管芯器件

摘要

本实用新型公开了一种双管芯器件。本实用新型当从漏极加压时，P‑体区扩展和N‑外延层形成耗尽层，源区底部的耗尽层和终端区的耗尽层缓变并截至于终端，从而弱化芯片边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。本实用新型将连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。通过以上改进，本实用新型的器件的击穿电压约可提高11％，导通电阻约可降低3.3％。

主权项

1.一种双管芯器件，包括第一导电类型的衬底和外延层，所述外延层的两侧刻蚀形成若干间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，所述外延层上侧、第一沟槽和第二沟槽内侧长有栅氧化层，所述第一沟槽和第二沟槽内的栅氧化层外侧沉积有多晶硅，所述第一沟槽和第二沟槽两侧以及第一沟槽与第二沟槽之间的外延层内分别形成有第二导电类型轻掺杂的第一体区、第二体区和第三体区，所述第一体区和第二体区的下端面分别设置在第一沟槽和第二沟槽的下端面的上侧，其特征在于，所述第一体区、第二体区和第三体区内分别形成第一导电类型重掺杂的第一源区、第二源区和终端区，所述栅氧化层和多晶硅的上侧长介质层，刻蚀掉部分第一体区、第二体区、第三体区及其上侧的栅氧化层和介质层，以形成连接孔，所述连接孔下侧的第一体区、第二体区和第三体区内形成有第二导电类型重掺杂的接触区，所述介质层上侧形成有第一源极金属、第二源极金属和与终端金属，所述第一源极金属、第二源极金属和终端金属分别通过连接孔与第一体区、第二体区和第三体区连接。/n