[实用新型]电容器、存储单元及存储器有效
| 申请号： | 201920955048.6 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN209993622U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 吴秀菊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种电容器、存储单元及存储器，所述电容器包括：下电极；上电极；位于所述下电极与所述上电极之间的电容介电层，所述电容介电层包括主介电层、位于所述主介电层与所述上电极之间的牺牲层。所述电容器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 电极 电容介电层 介电层 下电极 存储器 存储单元 牺牲层 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，包括：/n下电极；/n上电极；/n位于所述下电极与所述上电极之间的电容介电层，所述电容介电层包括主介电层、位于所述主介电层与所述上电极之间的牺牲层。/n
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