[实用新型]平面结构沟道金氧半场效晶体管有效
| 申请号： | 201920963740.3 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN210224042U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 潘继;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡沃达科半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体，基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，第一基板为P型晶圆基板，第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，沟道中形成有栅极，沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本实用新型中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 结构 沟道 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡沃达科半导体技术有限公司，未经无锡沃达科半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920963740.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种列车双极集电装置
- 下一篇：一种汽车传动轴加工用夹具
- 同类专利
- 专利分类
