[实用新型]射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路有效
| 申请号： | 201920967548.1 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209787126U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 田锋;强盛 | 申请（专利权）人： | 南京芯云电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F1/52;H03F3/21;H03F3/193 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及射频大功率器件技术领域，特别是一种射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路，包括与电源VCC相连接的电源管理模块，所述电源管理模块的电源管理芯片与电路保护模块的开关管Q3的集电极相连接，所述开关管Q3的基极与电源管理模块的电压变换器相连接，所述开关管Q3与电路保护模块相连接，所述电源管理模块与电源调制模块相连接，所述电源管理模块的电压变换器与输出电压调整模块相连接。采用上述结构后，本实用新型通过跟输出栅极电压的比较，确保漏极电压加载时，栅极电压稳定，使用这套电路过程中，器件不会存在电源掉电等等特殊情况，导致器件烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 电源管理模块 开关管 电路保护模块 本实用新型 大功率器件 电压变换器 射频 输出电压调整模块 电源调制模块 电源管理芯片 电路过程 电源掉电 调制电路 漏极电压 输出栅极 栅极电压 电源VCC 集电极 加载 馈电 烧毁 外围 | ||
【主权项】：
1.一种射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路，其特征在于：包括与电源VCC相连接的电源管理模块，所述电源管理模块的电源管理芯片与电路保护模块的开关管Q3的集电极相连接，所述开关管Q3的基极与电源管理模块的电压变换器相连接，所述开关管Q3与电路保护模块相连接，所述电源管理模块与电源调制模块相连接，所述电源管理模块的电压变换器与输出电压调整模块相连接。/n
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