[实用新型]一种多层阵列式芯片电容器有效
| 申请号： | 201920973550.X | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN210039942U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 赵军胜;吴良臣;黄琳;赵祥 | 申请（专利权）人： | 成都宏科电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/38 | 分类号： | H01G4/38;H01G4/30;H01G4/232 |
| 代理公司： | 51217 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陶红 |
| 地址： | 610199 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种多层阵列式芯片电容器，包括多层芯片电容器组，所述多层芯片电容器组包括若干只并联连接的多层芯片电容器，所述多层芯片电容器包括上电极和下电极，若干只多层芯片电容器的下电极连接为整体，每两只多层芯片电容器的上电极之间设置未金属化的通道。本实用新型将两只或者多只多层芯片电容器集成至一只电容器中，通过将上电极图形化，将下电极整体连接，在一只电容器上实现多只电容器组成的并联功能。本实用新型安装简单，节省安装空间，降低组装复杂性和组装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 多层芯片 本实用新型 下电极 电容器组 电极 组装 电子元件技术 电极图形化 电容器组成 阵列式芯片 安装空间 并联功能 并联连接 整体连接 金属化 多层 | ||
【主权项】：
1.一种多层阵列式芯片电容器，包括多层芯片电容器组，其特征在于：所述多层芯片电容器组包括若干只并联连接的多层芯片电容器，所述多层芯片电容器包括上电极和下电极，若干只多层芯片电容器的下电极连通为整体，每两只多层芯片电容器的上电极之间设置未金属化的通道。/n
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