[实用新型]一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件有效
| 申请号： | 201920977069.8 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN210866188U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;吴音 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极。本案可提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双氧水 提高 辐射性 薄膜晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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