[实用新型]一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路有效

专利信息
申请号: 201920979820.8 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN209844918U 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 杨格亮;曲明;陈明辉;廖春连;王旭东 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/193
代理公司: 13124 河北东尚律师事务所 代理人: 王文庆
地址: 050081 河北省石家庄市中山西路5*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型涉及一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路,属于射频集成电路技术领域。该输入匹配电路包括电流复用放大单元、第一电感、第二电感和电阻,其中电流复用放大单元包含栅极和漏极相连的NMOS晶体管和PMOS晶体管,匹配电路的输入端通过第一电感连接到NMOS(PMOS)晶体管的栅极,NMOS(PMOS)晶体管的漏极作为匹配电路的输出端,NMOS晶体管的源极通过第二电感连接到地,电流复用放大单元中PMOS晶体管的源极连接到电源,反馈电阻跨接在匹配电路的输入和输出端之间。本实用新型可应用于高倍频程超宽带低噪声放大器芯片设计中实现高倍频程超宽带输入匹配。
搜索关键词: 电感 电流复用 放大单元 匹配电路 频程 输入匹配电路 本实用新型 超宽带 输出端 晶体管 漏极 超宽带低噪声放大器 低噪声放大器 射频集成电路 反馈电阻 输入匹配 芯片设计 源极连接 输入端 电阻 跨接 源极 电源 应用
【主权项】:
1.一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路,其特征在于,包括电流复用放大单元、第一电感器、第二电感器、电阻器、电源端、接地端、输入端和输出端;/n所述电流复用放大单元包括一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管,其中,NMOS晶体管的栅极与PMOS晶体管的栅极相连,NMOS晶体管的漏极与PMOS晶体管的漏极相连并共同连接到所述输出端,PMOS晶体管的源极与所述电源端连接;/nNMOS晶体管和/或PMOS晶体管的栅极连接到第一电感器的一端,第一电感器的另一端与所述输入端连接,NMOS晶体管的源极连接到第二电感器的一端,第二电感器的另一端与所述接地端连接,所述电阻器跨接在所述输入端和所述输出端之间。/n
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