[实用新型]一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件有效
| 申请号： | 201920995759.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210379098U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 吴雅苹;周江鹏;陈嘉俊;宋安柯;张纯淼;吴志明;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;张迪 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，包括导电基片、设置于导电基片上表面的p型氮化物、电子阻挡层、量子阱有源区、n型氮化物，氮化硼电子隧穿层、自旋注入层、盖层；所述自旋注入层的磁矩取向可通过电场调控，通过电场调控自旋注入层的磁矩取向在平内与垂直方向上快速翻转，可分别在发光二极管的侧向与正向产生具有自旋极化的旋光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 注入 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
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