[实用新型]一种柔性二维磁存储阵列有效

专利信息
申请号: 201920997044.4 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN210866242U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 吴雅苹;柯聪明;康俊勇 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;H01L43/06
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;张迪
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开一种柔性二维磁存储阵列,包括柔性基片以及设置于柔性基片上表面的任意数量的以阵列形式排布的磁存储单元;每个磁存储单元包含层叠设置于柔性基片上表面的XN(X=V,Cr,Mn)二维材料、过渡金属硫化物二维材料、表面掺杂层、BN二维材料、分别设置于BN二维材料上表面左右两端的第一注入电极与第二注入电极、以及分别设置于BN二维材料上表面前后两端的第一检测电极与第二检测电极;每个磁存储单元可独立工作,通过在第一注入电极与第二注入电极之间施加一个范围为‑5V~+5V的电压,可在第一检测电极与第二检测电极之间检测到一个自旋极化的电流,通过对柔性基片施加适当应力可调控自旋极化的电流的自旋极化率,从而实现磁存储。
搜索关键词: 一种 柔性 二维 存储 阵列
【主权项】:
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