[实用新型]一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构有效
| 申请号： | 201921002454.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210379112U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 吴雅苹;唐唯卿;吴志明;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;张迪 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构，包括半导体基底半导体基底、设置于半导体基底下表面的背栅电极，层叠设置在半导体基底上表面的介电层、石墨稀透明电极、过渡金属硫化物二维材料、铁磁金属纳米团簇异质结构、隧穿层、磁性参考层、以及顶电极；所述磁性参考层具有垂直于表面且被钉扎的磁化方向，所述该隧穿磁电阻结构可通过施加门电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控铁磁金属纳米团簇的磁各向异性，使得从顶电极流经磁性参考层的自旋极化电流在隧穿注入至过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构过程中产生不同的高低磁阻态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 各向异性 磁阻 结构 | ||
【主权项】：
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