[实用新型]电压缓冲电路有效
| 申请号： | 201921002468.9 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN209928303U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王侃;王彦伟;吴海青;胡槟洲;庄礼杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市亚派光电器件有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 44287 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电压缓冲电路，电压缓冲电路包括P沟道MOS管、第一电容、第一电阻以及外接DC‑DC芯片外围电路；外接电源与P沟道MOS管的源极连接；P沟道MOS管的栅极分别与第一电容的第一端以及第一电阻的第一端连接，第一电容的第二端与外接电源连接，第一电阻的第二端接地；P沟道MOS管的漏极与外接DC‑DC芯片外围电路连接。在本实用新型中将设置P沟道MOS管、第一电容、第一电阻以及外接DC‑DC芯片外围电路来构成电压缓冲电路，通过该电压缓冲电路可增长电压上升的上升时间，降低了浪涌电流的上冲峰值，进而缓解了上电浪涌的状况，解决了在应用DC‑DC芯片时存在着的上电浪涌的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电压缓冲电路 电容 电阻 芯片外围电路 外接 本实用新型 外接电源 第一端 浪涌 上电 电压上升 浪涌电流 源极连接 端接地 漏极 上冲 芯片 缓解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电压缓冲电路，其特征在于，所述电压缓冲电路包括P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOS管、第一电容、第一电阻以及外接直流电DC-DC芯片外围电路；/n外接电源与所述P沟道MOS管的源极连接；/n所述P沟道MOS管的栅极分别与所述第一电容的第一端以及所述第一电阻的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述外接电源连接，所述第一电阻的第二端接地；/n所述P沟道MOS管的漏极与所述外接DC-DC芯片外围电路连接。/n
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