[实用新型]一种深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201921015706.X | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN210837711U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 代萌;李承杰;顾嘉庆 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8236;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管包括垂直相交的深沟槽和浅沟槽，深沟槽和浅沟槽侧壁和底部均生长有一层氧化层，内部填充有多晶硅。本实用新型提出了一种立体的三维结构来实现高击穿电压，低开启电压的特性。包括垂直相交的深浅沟槽，整个沟槽制备过程无需增加光刻板以及多次淀积、刻蚀去实现沟槽内部复杂的构造，制备流程更简洁，工艺更易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深浅 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海格瑞宝电子有限公司，未经上海格瑞宝电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921015706.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于组装成型的龙门架
- 下一篇：一种发动机机油冷却器试漏辅具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
